‘‘ IBM’nin şarj problemini ortadan kaldıran buluşu. IBM ürettiği 5nm çip ile devrim niteliğinde bir ilke imza atarak büyük yankı uyandırdı. Bilindiği gibi bilişim devi 2 yıl evvel Samsung ve GlobalFoundries ile 7nm çip üretmişti. ’’
IBM’nin şarj problemini ortadan kaldıran buluşu, tüketici teknolojilerine ne zaman yansıyacağı bilinmiyor fakat telefonların bataryaları daha dayanıklı olacak ve boyutları da küçülecek.
Dünyanın en önemli bilişim firmalarından sayılan IBM, devrim etkisi yaratabilecek yeni bir teknolojik gelişmenin sinyallerini verdi. 2 yıl evvel ilk defa 7 nanometrelik (nm) çip üretebilen şirket, bu sefer de 5 nm çip üretimini kolaylaştıracak gelişmeler kaydetti.
IBM, 2 yıl evvelde olduğu gibi yine yarı iletkenlerde uzmanlaşmış Samsung ve GlobalFoundries ile ortak çalışma yürüttü.
Her ne kadar, şuan 7 nm çipler bile seri olarak üretilmese de ve en erken 2018 başlarında karşılaşacak olsak da, bu haber yaşantımıza direk etkide bulunacak.
IBM’nin şarj problemini ortadan kaldıran buluşu çipten en olumlu etkilenecek alanın mobil piyasası olması bekleniyor. Çünkü miktarı yeni çiplerde 30 milyar transistör bulunuyor. Eskisi olan 7nm’liklerde ürünlerde ise 20 milyardı.
Akıllı Telefonlar Bu Çipler İle Güçlenecek
Az güç tüketimine neden olan teknoloji ile beraber, bu sayede telefonlarda yer alan bataryalar ufak boyuta inmek ile kalmayacak dayanıklılığı bir kat daha artacak.
Tek şarj ile eskisine kıyasla 2-3 misli uzun süre kullanılabilecek. Bu durum benzer bataryaları olan cihazların tümü adına geçerli.
Mobil piyasası ile birlikte verinin yoğun şekilde kullanıldığı internet odaklı uygulamalar, bilişsel programlama, yapay zeka ürünlerinin de IBM'in bu çalışmasından pozitif etkilenebilir.
Ayrıntıları Japonya’da Açıklanacak
Çipte yapılan bur teknolojik gelişmeler çekirdekte yapılan yenilik sayesinde. Eski teknolojide yer alan FinFET elektrik devresini taşımak amacı ile silikon odaklı yalıtkana kat çıkma fikri ile elde edilen tasarım tarihe karışacak.
Yerine milyonlarcasının yığınla kullanılarak ana transistör yapısının meydana getirdiği, nanokatmanlı bir dizayn uygulandığı ifade ediliyor. Bu şekilde performansı en üst seviyeye getirmek adına devrelerde ince ayarlarda bulunulabiliyor.
FinFET tasarımlar da 5nm ebadına kadar küçültebilse de mimarideki uzantıların aralığını azaltmak nanokatmanlı teknolojiye oranla verimsiz.
IBM, tasarladığı yeni teknolojinin ayrıntılarını hakkında Japonya’da yapılması planlanan 2017 VLSI Teknoloji Sempozyumu'nda bilgi verecek. Bu tür durumların tüketici teknolojilerine yansımasının süresi ise şuanlık sır.
